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Si7956DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.20
0.16
25 °C, unless otherwise noted
1500
1200
0.12
0.08
V GS = 6 V
V GS = 10 V
900
600
C iss
0.04
0.00
300
0
C oss
C rss
0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2.0
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V DS = 75 V
I D = 4.1 A
1.8
V GS = 10 V
I D = 4.1 A
8
1.6
6
4
1.4
1.2
1.0
2
0.8
0
0.6
0
4
8
12
16
20
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
20
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.20
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
0.16
I D = 4.1 A
0.12
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.08
0.04
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72960
S09-0223-Rev. B, 09-Feb-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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